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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
52
左右 44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
52
读取速度,GB/s
16.9
10.4
写入速度,GB/s
12.0
7.6
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2384
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
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Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
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