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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
35
读取速度,GB/s
16.9
10.3
写入速度,GB/s
12.0
8.4
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2311
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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