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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
13.3
16.4
写入速度,GB/s
8.8
12.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2394
2928
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
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