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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
差异
规格
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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
33
读取速度,GB/s
13.3
15.0
写入速度,GB/s
8.8
10.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2394
2827
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
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