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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
13.3
17.7
写入速度,GB/s
8.8
14.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2394
3482
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
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