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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
总分
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
13.3
17.3
写入速度,GB/s
8.8
12.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2394
3023
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB RAM的比较
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Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB RAM的比较
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
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