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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
56
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
56
读取速度,GB/s
13.3
17.9
写入速度,GB/s
8.8
9.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2394
2071
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
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