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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
总分
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
41
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
35
读取速度,GB/s
13.3
18.0
写入速度,GB/s
8.8
11.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2394
3141
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
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