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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB

总分
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

总分
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Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB

Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB

差异 规格 评论

差异

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB 需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 42
    左右 -91% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.5 left arrow 13.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.6 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    42 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    13.2 left arrow 17.5
  • 写入速度，GB/s
    9.4 left arrow 12.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2326 left arrow 3057

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
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