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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
13.2
17.2
写入速度,GB/s
9.4
13.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
3228
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
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G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
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