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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
25
读取速度,GB/s
13.2
15.6
写入速度,GB/s
9.4
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
3038
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
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