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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
42
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
22
读取速度,GB/s
13.2
18.7
写入速度,GB/s
9.4
14.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
3291
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
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