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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
9.7
16.6
写入速度,GB/s
6.0
12.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2825
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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