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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
42
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
34
读取速度,GB/s
13.2
16.3
写入速度,GB/s
9.4
14.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
3494
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
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