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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
13.2
18.3
写入速度,GB/s
9.4
14.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
3442
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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