RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
42
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.3
Скорость записи, Гб/сек
9.4
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3442
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link