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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
25
读取速度,GB/s
13.2
20.1
写入速度,GB/s
9.4
16.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
4060
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
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