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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
13.2
21.2
写入速度,GB/s
9.4
17.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
4043
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF556C40-16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
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