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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
13.2
21.2
写入速度,GB/s
9.4
17.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
4043
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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