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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
42
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
36
读取速度,GB/s
13.2
15.4
写入速度,GB/s
9.4
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
2720
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
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Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB RAM的比较
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
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