RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
42
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
36
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
2720
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link