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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
42
左右 -11% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
38
读取速度,GB/s
13.2
9.3
写入速度,GB/s
9.4
6.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
1493
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
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