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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
42
左右 -11% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
38
读取速度,GB/s
13.2
9.3
写入速度,GB/s
9.4
6.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
1493
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
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