Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.2 left arrow 9.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.4 left arrow 6.1
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    38 left arrow 42
    Intorno -11% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    42 left arrow 38
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.2 left arrow 9.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.4 left arrow 6.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2326 left arrow 1493
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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