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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
85
左右 51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
85
读取速度,GB/s
13.2
15.1
写入速度,GB/s
9.4
8.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
1772
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
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