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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
85
Autour de 51% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
85
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
1772
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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