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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

总分
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

总分
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Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

差异 规格 评论

差异

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.4 left arrow 7.3
    测试中的平均数值
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB 需要考虑的原因
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    24 left arrow 42
    左右 -75% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.2 left arrow 13.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    42 left arrow 24
  • 读取速度，GB/s
    13.2 left arrow 14.2
  • 写入速度，GB/s
    9.4 left arrow 7.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2326 left arrow 2124

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

最新比较

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Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
内存RAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
内存RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
内存RAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
内存RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
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内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
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内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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