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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB vs Kingston 9905743-034.A00G 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
总分
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
66
左右 -120% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.4
8.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
30
读取速度,GB/s
16.1
15.9
写入速度,GB/s
8.3
11.4
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1810
3026
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
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