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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
50
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
31
读取速度,GB/s
15.3
17.7
写入速度,GB/s
10.9
14.7
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
3482
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB RAM的比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 9905471-079.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
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