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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
36
读取速度,GB/s
13.6
14.4
写入速度,GB/s
9.4
10.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
2647
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
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