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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.8
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
28
读取速度,GB/s
13.6
18.8
写入速度,GB/s
9.4
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
3458
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-026.A00G 8GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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