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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
56
左右 -124% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.2
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
25
读取速度,GB/s
4,387.7
20.2
写入速度,GB/s
1,813.5
17.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
4106
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
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V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
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Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
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Maxsun MSD48G32Q3 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
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