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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
33
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
33
读取速度,GB/s
13.6
16.5
写入速度,GB/s
9.4
13.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
3298
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
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