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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.3
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
27
读取速度,GB/s
13.6
20.3
写入速度,GB/s
9.4
17.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
4008
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
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