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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
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更快的读取速度,GB/s
20.6
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
23
读取速度,GB/s
13.6
20.6
写入速度,GB/s
9.4
16.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
3819
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
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Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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