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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
104
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
31
读取速度,GB/s
3,192.0
15.1
写入速度,GB/s
2,404.5
13.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3095
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
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