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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
23
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
20
读取速度,GB/s
13.6
19.7
写入速度,GB/s
9.4
16.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
3465
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
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