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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
31
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
31
读取速度,GB/s
10.6
16.8
写入速度,GB/s
6.8
11.7
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3154
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
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