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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
28
读取速度,GB/s
13.6
16.5
写入速度,GB/s
9.4
12.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
2903
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
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