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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
24
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
24
读取速度,GB/s
13.6
17.4
写入速度,GB/s
9.4
13.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
3049
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
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G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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