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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
72
左右 65% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
72
读取速度,GB/s
13.8
14.6
写入速度,GB/s
7.8
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
1918
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
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