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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
31
读取速度,GB/s
13.6
15.7
写入速度,GB/s
9.4
9.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
2713
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
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