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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
25
读取速度,GB/s
13.6
17.6
写入速度,GB/s
9.4
14.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
3297
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
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