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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
42
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
42
读取速度,GB/s
12.6
14.7
写入速度,GB/s
7.8
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2209
2476
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
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