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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
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规格
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
12.6
17.7
写入速度,GB/s
7.8
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2209
3401
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB RAM的比较
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Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
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