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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
比较
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
总分
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
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规格
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
30
读取速度,GB/s
12.6
20.2
写入速度,GB/s
7.8
16.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2209
3844
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
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