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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
总分
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
差异
规格
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差异
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
40
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
20
读取速度,GB/s
12.6
17.9
写入速度,GB/s
7.8
14.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2209
3127
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
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