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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
比较
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
41
左右 2% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.3
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
40
41
读取速度,GB/s
12.6
13.3
写入速度,GB/s
7.8
9.0
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2209
2016
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB RAM的比较
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
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