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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
总分
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
63
左右 37% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
63
读取速度,GB/s
12.6
17.0
写入速度,GB/s
7.8
8.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2209
2061
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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