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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
37
读取速度,GB/s
12.8
14.9
写入速度,GB/s
9.4
13.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2282
2836
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
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