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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB

总分
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

总分
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Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB

Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB

差异 规格 评论

差异

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 32
    左右 9% 更低的延时
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB 需要考虑的原因
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.2 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.5 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    29 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    12.8 left arrow 16.2
  • 写入速度，GB/s
    9.4 left arrow 12.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2282 left arrow 3148

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB RAM的比较

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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Kingston 9965640-001.C00G 16GB
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内存RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Kingston X5H5PW-MIB 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
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内存RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Kingston 9905702-400.A00G 8GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
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SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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