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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
31
读取速度,GB/s
12.8
11.4
写入速度,GB/s
9.4
8.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2282
2371
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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